472是什么电容（472电容是多少）

开关电源中的电容器

静电容量与电压关系

电容器基本原理：

电容器的基本结构是由两块导体极板，中间隔离有不同的电介质（绝缘体）组成。电容器主要参数 ·容量：单位－F，（mF），?F，nF，pF 误差等级：±1%（00）级，±2%(0)级，±5%（Ⅰ）级，±10%（Ⅱ）级和±20%（Ⅲ）级标称值：和电阻相同。按照公差等级决定序列（如公差10%：1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，4.7和6.8等，像4.7μF，0.047μF，47pF等等）。

·电压定额：电容器介质中的电场强度大于它的允许电场强度，这是绝缘介质中的电子被拉出来，产生雪崩效应，引起介质击穿。额定电压一般比击穿电压低。高电压定额的电容需要更厚的介质，比低电压体积大。 额定直流电压：电容两极能施加的最高直流电压。额定交流电压：受损耗限制，一般比直流电压低得多。并随频率增加允许交流电压降低ESR、ESL和损耗系数

电容等效电路：C，ESR，ESL和RS

ESR：引线、焊接和介质极化损耗。介质损耗与温度和频率有关ESL：引线、电容极板结构有关（SMT元件典型值在2~8nH。径向引线型电容在10nH～30nH，螺旋端子电容20~50nH，轴向引线型低于200nH。出头位置和固有电感）。RS：泄漏电阻，一般很大损耗系数：容量>1mF，用120Hz；< 1mF ，用1kHz。C（mF），DF（％）

电容器的频率特性：随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。下面以TDK公司B43508铝电解电容为例，随频率增高相关参数的变化。

输入回路：

1、安规电容

安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全.它包括X电容各Y电容两种类型，x电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般X电容是uF级，Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰，Y电容抑制共模干扰。

①X电容：主要用来消除差模干扰，主要集中在消除中、低频段，一般在10MHZ以下明显，具体选值没有限制，可以考虑以下因素：1． 满足传导测试可以达到要求，可加大，或减小（成本）。2． PCB 板能尽量安装有位置，以避免重新做板，增大工作量和成本。X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数 M 之间)的 EMI 差模干扰防制有效，也会对共模有轻微变化.一般而言 X-Cap 越大，EMI 防制效果越好(但价格越高).相对应卸放电阻要根据 X 电容变化而变化。一般 X 电容取值在 0.1Uf - 2.uF 间。②Y电容：主要用来消除共模干扰，对整段有影响，在10MHZ下明显，一般Y电容值越大传导波形越好，但必须考虑高压测试下漏电流符合安规要求（<3mA）。Y电容一般选取高压一类的陶瓷电容或者高压金属化电容。一般 Y 电容取值在 471PF—10000PF 间。主要有：471,102,152,222,332,472 等等 。

2、输入滤波电容

开关电源输入滤波电容取值一般要考虑输入电压变动范围，计算时一般取滤波后纹波电压△V=30V，放电维持维持时间：T=(1/Finac) / 2 (由于波形是半周,故取一半/2)

Idc=Pin/(Acin*1.414)

Cin=Idc*T T/ △V

注：△V 可取值在 20---40V 间,取 40V 性价比比较合适. △V 限制在 45V 内,一般输出的纹波可以控制在 1%内. △V 取更低,容量则成倍增长.一般滤波后的 VDC 不小于 Vacin*1.2 倍（重载），峰值≦1.414*Vacin（轻载）在应用倍压整流时，一定要在各电容两端加平衡电阻，可经验取值，一般是几百 K 欧

3、工作频率振荡电容

一般选取云母电容或薄膜电容等精密电容

4、缓冲电容

一般采用金属箔/膜电容，具有很高的dV/dt能力，以及非常小的ESR和ESL。通常称为snubber 电容。

5、输出滤波电容

输出电容的选取要考虑输出电容的ESR（ESR是指电容等效串联电阻或者阻抗），Cout=ΔIout/(8*F* ΔVout)ΔIout—输出的纹波电流=额定输出电流 Iout*25% (一般取 10~30%)ΔVout—允许输出纹波电压的峰-峰值。F—开关频率滤波电容器的 ESR 值：ESRmax=ΔVout /ΔIout为计算理论最小值，实际应用应取大点.注：工作在 50KHZ-100KHZ 左右，取 300Uf/A 比较合适，在据实际做调试。